Şahsənəm Rəşidova/Biblioqrafiya/Azərbaycanda dərc olunan jurnal məqalələri
| ←../ | Şahsənəm Rəşidova/Biblioqrafiya |
../→ |
1.М. И. Алиев, Х. А. Халилов, Ш.Ш.Рашидова, Г. Б. Ибрагимов. Влияние разупорядоченности на кинетические явления в кристаллах InxGa1-xAs. Доклады АНА ССР. 1987. т. 43, №1, с. 19-21.
2. М. И. Алиев, Х. А. Халилов, Ш.Ш.Рашидова. Электрические свойства кристаллов In1-xGaxAs и InAs, облученных быстрыми электронами. Доклады АНА ССР. 1988. т. 44. №7. с. 31-34.
3. М. И. Алиев, Х. А. Халилов, Ш.Ш.Рашидова. Отжыг облученных электронами кристаллов In1-xGaxAs и InAs. Доклады АНА ССР. 1988. т. 44. №10. с. 7-9.
4. М. И. Алиев, Д.Г. Араслы,Р.Н.Рагимов, Х. А. Халилов, А.А.Халилова,Ш.Ш.Рашидова. Резонансное рассеяние фононов в твердом растворе In1-xGaxAs. Препринт. 1988. №279. с. 19.
5. М. И. Алиев, Д.Г. Араслы,Р.Н.Рагимов, Х. А. Халилов,Ш.Ш.Рашидова. Теплопроводность твердого раствора In1-xGaxAs облученного быстрыми электронами. Препринт. 1989. №313 с. 12.
6. М. И. Алиев, Х. А. Халилов, Ш.Ш.Рашидова, Г. Б. Ибрагимов. Вляные облучения на глубокий центр в GaAs, легированном разлычными примесями. Доклады АНА ССР. 1989. т. 45. №1. с. 15-18.
7. М. И. Алиев, Х. А. Халилов, Ш.Ш.Рашидова. Оптическое поглощения и изменение края зоны в облученных кристаллах InxGa1-xAs и GaAs с различными примесями. Доклады АНА ССР. 1989. т. 45. №11-12. с. 30-34.
8. М. И. Алиев, Х. А. Халилов, Ш.Ш.Рашидова, Г. Б. Ибрагимов, И. М. Алиев. «Дополнительное поглощение в легированном различными примесями в области 3 мкм». Дан АНА ССР. 1990, №12, с.26 – 28.
9. М. И. Алиев, Ш.Ш.Рашидова. «Влияние разупорядоченности на поглощение света глубокими центрами в Ga1-xInxAs (0≤х≤0,5.)». Журн. «Физика ИФАН Азербайджана 1995, №4, с.85 – 89.
10. М. И. Алиев, Ш.Ш.Рашидова. «Влияние электронного облучения на оптические свойства кристаллов GaP и GaxAl1-xAs.». Журн. «Физика ИФАН Азербайджана 1996, №4, 6-7.
11. М. И. Алиев, Ш.Ш.Рашидова, И. М. Алиев. «Спектры отражения кристаллов GaAs и твердых растворов Ga1-xInxAs и Ga 1-xAlxAs». Журн. Физика ИФАН Аз.1999 №4 с.6 – 7.
12. М. И. Алиев, Ш.Ш.Рашидова, И. М. Алиев,М. А.Гусейнова. «Влияние облучения на поглощения свободными носителями в кристаллах In0,05Ga0,95As и GaAs». «Известия» НАН Аз. № 2. 2000, с. 113 – 116.
13. М.И.Алиев, Ш.Ш.Рашидова, М.А. Гусейнова, И.М. Алиев, Н.Н.Гаджиева. «Особенности радиотермолюминесценции в кристаллах InP». Известия НАНА серия физика и астрономия №5. 2004. с 72-74.
14. М.И. Алиев, М. А. Гусейнова, Ш.Ш.Рашидова,И.М. Алиев. «Исследование центров люминесценции в кристаллах InP<Zn> облученных гамма – квантами». Известия НАНА серия физика и астрономия №2, 2005 с. 33-35.
15. М.И.Алиев, Ш.Ш.Рашидова, М.А.Гусейнова, Г.Б. Ибрагимов, Н.Н.Гаджиева, И.М.Алиев. «Антиструктурные дефекты в фосфиде индия легированного оловом.». «Хэбэрлэр» НАНА Физика и астрономия 2008 № 2 с 49-52
16. Алиев М.И., Рашидова Ш.Ш., Гусейнова М.А.,Алиев И М. «Дефектообразование в гамма облученных кристаллов InP<Fe>». «Хэбэрлэр» НАНА Физика и астрономия №5, 2010, с. 49 – 51.
17. Ш.Ш.Рашидова. «Оптические свойства InP<Sn> подвергнутых γ-облучению». «Хэбэрлэр» НАНА Физика и астрономия №5, 2010, с. 143 – 145.
18. Ш.Ш.Рашидова. «Оптические и кинетические свойства кристаллов A3B5 облученных быстрыми электронами и гамма квантами». НАНА серия Физика и астрономия.№ 2, 2011c.113-120
19. Алиев М.И., Рашидова Ш.Ш., Гусейнли М.А., И.М.Алиев. “Электрофизические свойства облученного гамма квантами фосфида индия”. НАНА серия Физика и астрономия № 5, 2011 с.140-142.
20. Алиев М.И., Рашидова Ш.Ш., Гусейнли М.А., И.М.Алиев. “Оптические свойства монокристаллов InP<Fe>,облученных гамма квантами в ИК области”. НАНА серия Физика и астрономия № 5, 2012 с 103-106.
21.Алиев М.И., Рашидова Ш.Ш., Гаджиева Н.Н., Рзаева С.М., Гусейнова M.A..,Алиев И.М., Алиев А.А. Спектр ИК поглощения в композитах полимер+InP. “«Хэбэрлэр» НАНА Физика и астрономия. cild XXXIV, №2, 2014. s. 63-66.
22. Алиев М.И., Рашидова Ш.Ш., Рзаева С.М., Зеуналов Ш.М. Диэлектрические свойства композиционных материалов ПЭВП+ InP. “Journal of Qafqaz University” Vol.2, №2, 2014. s. 119-123.
23.М.И.Алиев, Ш.Ш.Рашидова, С.М.Рзаева, И.М.Алиев, М.А.Гусейнли. Физические свойства монокристаллов GaP облученных быстрыми электронами. «Хэбэрлэр» НАНА Физика и астрономия. №5, 2016, с. 101-104.