Şahsənəm Rəşidova/Biblioqrafiya/Beynəlxalq səviyyəli konfrans materialları
| ←../ | Şahsənəm Rəşidova/Biblioqrafiya |
../→ |
1. М. И. Алиев, Х. А. Халилов, Ш.Ш.Рашидова. Вляние радиационных дефектов на глубокие центры в In0,05Ga0,95As и GaAs. Всесоюзный семинар по радиоационным дефектам в полупроводниках и п/п-вых приборах.Баку. 18-23 сентября, 1989, мат. семинара. с. 177.
2. М. И. Алиев, Х. А. Халилов, Ш.Ш.Рашидова, И. М. Алиев. Вляние облучения на край поглощения в кристаллах In0,05Ga0,95As и GaAs. Всесоюзный семинар по радиоационным дефектам в полупроводниках и п/п-вых приборах.Баку. 18-23 сентября, 1989, мат. семинара. с. 178-179.
3. И. Алиев, Х. А. Халилов, Ш.Ш.Рашидова, И. М. Алиев. «Поведение глубоких уровней в кристаллах и облученных быстрыми электронами». 3–й Всесоюзное совещение по глубоким уровням в п/п – ках. Уз.ССР.г. Ташкент 1991
4. М. И. Алиев, Х. А. Халилов, Ш.Ш.Рашидова, Г. Б. Ибрагимов, И. М. Алиев, Т. Г. Джабраилов. «Влияние облучения на глубокие центры в кристаллах». Всесоюзное совещение по глубоким центрам в п/п – ках Самарканл. 1991. с.32
5. М. И. Алиев, Х. А. Халилов, Ш.Ш.Рашидова, И. М. Алиев. «Оптические св – ва кристаллов и облученных быстрыми электронами». Всесоюзный науч. Семинар по рад – м дефектам в п/п – ках приборах. Баку. мат. конф. 1991. с.34.
6. М. И. Алиев, Х. А. Халилов, Ш.Ш.Рашидова, И. М. Алиев. «Спектры отражения т.в.растворов GaxAl1-xAs, GaxIn1-xAs,.InAs,GaP.». V мехвузовская конференция Баку.тез.докладов 1992.с.24.
7. М. И. Алиев, Ш.Ш.Рашидова, И. М. Алиев. «Поглощение света свободными носителями в кристаллах GaAs In0,05Ga0,95As, облученных быстрыми электронами». Труды медж. конф. оптика п – п/х ОS. 2000. c. 51
8. M. I. Aliev, Sh. Sh. Rashidova, I. M. Aliev. “The influence of electron irradiation on optical absorption in GaAsInP and InxGa1-xAs crystals”. Eurasia conf.on nuclear Science and its application 23 – 27 oct. 2000. Izmir. Turkay 2000. P.496 – 497.
9. Алиев М.И. , Ращидова Ш.Ш. «Термоэлектрические свойства кристаллов In1-xGaxAs и InAs облученных быстрыми электронами». National Academy of Sciences Institute of Physics. International Scientific Conference Academician G.B.Abdullayev 85. part 2.Baku 2003 Elm с. 105-107.
10. Алиев М.И., Алиев И.М. Ибрагимов Г.Б., Ращидова Ш. Ш. «Рассеяния носителей тока в полупроводниковых сплавах In1-xGaxAs ». International Scientific Conference Academician G.B.Abdullayev 85. part 2.Baku 2003 Elm с. 53-55.
11. M.I.Aliyev, Sh.Sh.Rashidova, M.A.Quseynova, I.M.Aliyev. ”Radiothermoluminescence of InP <Zn> crystals”. Mat. 8th International Conf. Solid State Physics 23-26 August 2004. Kazakhstan, Almaty. p. 273-275.
12. M.I.Aliyev, Sh.Sh.Rashidova, M.A.Quseynova,I.M.Aliyev. “Kinetic effects InP crystals irradiated with gamma quanta”. Mat II International conf. Technical and Physical problems in power engineering. Iran 6-8 September 2004 p-335-336.
13. M.I.Aliyev, M.A.Huseynova, Sh.Sh.Rashidova, I.M.Aliyev. “The role of radiation defects on fabrication of semiisolated materials ”. TPE-06 , 3rd International conference on Technical and Physical Problems in power Engineering. May 29-31, 2006 , Ankara, Turkey. p. 799-801.
14. M.I.Aliyev, M.A.Huseynova, Sh.Sh.Rashidova, I.M.Aliyev, N.M.Gadzhiyeva. “Radiation defects in InP<Zn> crystals irradiated with gamma quanta”. TPE-2006 , 3rd International conference on Technical and Physical Problems in power Engineering.May 29-31, 2006 , Ankara, Turkey. p. 730-732.
15. M.I.Aliyev, Sh.Sh.Rashidova, M.A.Guseynova. “Antistructural defects in InP alloyed by tin.”. 4th International conference on Technical and Physical Ploblems in power Engineering. Romanya. 4-6 september TPE- 2008, p.88-92
16. М.И.Алиев, Ш.Ш.Рашидова, М.А.Гусейнова, Г.Б. Ибрагимов, И.М. Алиев, Н.Н. Гаджиева. «Обнаружение антиструктурных дефектов в гамма облученном кристалле InP<Sn> по ИК- спектрам поглощения ». Труды межд.конф. Научно-технческой процесс и совершенная авиация. Пос.75-летию акад.А.М.Пашаева. 12-14 февраль.2009. т.1. с.209-210.
17. Ш.Ш.Рашидова, М.И.Алиев,Н.Н. Гаджиева, М.А.Гусейнова,И.Б.Ибрагимов,И.М. Алиев. “Спектрально-люминесцентные свойства гамма облученных кристаллов InP<Sn> ”. Актуальные проблемы физики твердого тела. Сборник докладов Межд. Научной конф 20-23 октября 2009 Минск том 3. с. 82-84.
18. Sh. Sh. Rashidova. “Influence of irradiation physical properties of semiconductor compounds A3B5.6th international Conference of physical problems of Enginering. 14 – 16 september. Seraj Higher education institute. Tabriz, Iran. ICTPE 2010. p. 398 – 400.
19. M. I.Aliyev, Sh.Sh.Rashidova, M.A.Huseynli. Growth of semi-insulating InP through nuclear doping. Между.кон. Баку 19-21 ноябр. 2012
20. Алиев М.И., Гаджиева Н.Н., Рашидова Ш.Ш., Рзаева С.М. Фурье-ИК спектры поглощения компо¬зитов полиэтилен высокой плотности с полупровод¬ -никовым наполнителем InP. «Fizikanın Aktual problemləri» Beynəlxalq Elmi Konfransı, Akad. B.M.Əsgərovun 80 illik yub. Bakı Azərbaycan. 6 dekabr 2013. s.222-223.