Hüsnü Əjdərov/Biblioqrafiya/Beynəlxalq səviyyəli konfrans materialları
| ←../ | Hüsnü Əjdərov/Biblioqrafiya |
../→ |
1. Аждаров Г.Х., Тагиров В.И., Алиева Б.С., Таиров С.И., Шахтахтинский М.Г. "Примесные состояния в сплавах германий – кремний" / Тезисы докладов Всес.совещ. по физ.-хим. основам лег.п\п, Москва, 1970
2. Аждаров Г.Х., Тагиров В.И., Таиров С.И., Алиева Б.С., Алекперов А.И. "Глубокие примесные уровни в твёрдых растворах германий-кремний" / Тезисы докладов Всесоюзного совещания по глубоким центрам в п\п, Одесса, 1972
3. Аждаров Г.Х., Шахтахтинский М.Г. "Отрицательное магнито-сопротивление соединений А3В5 в ультраквантовом пределе" / Тезисы докладов Всесоюзного совещания по физике соединений А3В5, Ленинград 1979
4. Аждаров Г.Х., Ганиев А.С., Шахтахтинский М.Г. "Исследование донорных уровней элементов VI Б подгруппы в монокристаллах твёрдых растворов германий -кремний" / Тезисы II Всесоюзного совещания по глубоким центрам в полупроводниках, Ташкент, 1980
5. Аждаров Г.Х., Ганиев А.С., Шахтахтинский М.Г. "Энергия связи основных состояний мелких примесей в кристаллах твёрдых растворов германия с кремнием" / Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников , Баку, 1982
6. Аждаров Г.Х., Агаев Н.А., Акперов М.А. "Фактор вырождения двухзарядных акцепторов в кристаллах твёрдых растворов германий-кремний" / Тезисы VI координационного совещания по исследованию сплавов кремний-германий, Тбилиси, 1986
7. Аждаров Г.Х., Кязимзаде Р.З., Мир-Багиров В.В. "Получение однородно легированных монокристаллов кремния в процессе выращивания из расплава" / V Всесоюзное совещание по материаловедению и физико-хим. основам получения легиров. монокристаллов кремния Москва, 1990
8. Аждаров Г.Х., Кязимзаде Р.З., Мир-Багиров В.В. "Расщепление примесных состояний в твёрдых растворах, обусловленное хаотическим распределением компонентов" / Материалы VIII координацион-ного совещания по исследованию и применению твёрдых растворов германий-кремний, Ташкент, 1991
9. Аждаров Г.Х., Кязимзаде Р.З., Мир-Багиров В.В. "Акцепторные состояния примеси меди в твёрдых растворах германий-кремний" / Материалы VIII координационного совещания по исследованию и применению твёрдых растворов германий-кремний, Ташкент, 1991
10. Аждаров Г.Х., Кязимзаде Р.З., Мамедов К.Н. "Управление составом однородных полупроводниковых твёрдых растворов при выращивании методом подпитки расплава вторым компонентом" / Материалы VIII координационного совещания по исследованию и применению твёрдых растворов германий-кремний, Ташкент, 1991
11. Аждаров Г.Х., Рзаев С.Г. "Электрическая активность примесных состояний в Ge1-xSix" / Материалы VIII координационного сов. по исслед. и применению твёрдых растворов германий-кремний, Ташкент, 1991
12. Аждаров Г.Х., Рзаев С.Г., Мамедов Т.С. "Влияние индия на свойства гетеропереходов" / Тезисы докладов III Всесоюзного науч.- тех. конф. «Материаловедение халькогенидных полупроводников », Черновцы, 1991
13. Аждаров Г.Х., Рзаев С.Г., Мамедов Т.С. "Фотоэлектрические свойства гетеропереходов" / Материалы II Всесоюзной конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках, Ашхабад, 1991
14. Аждаров Г.Х., Рзаев С.Г., Сафаров З.Б. "Влияние глубоких примесных центров на параметры многослойных структур на основе гомо- и гетеро- эпитаксиальных плёнок" / Материалы международно-го семинара «Многослойные периодич. варизон. п\п струк. и приборы на их основе, Ашгабад, 1993
15. Аждаров Г.Х., Алиев М.И. "Мелкие и глубокие примесные центры в кристаллах твёрдых растворов германий-кремний" / Материалы VIII координационного совещания по исследованию и применению твёрдых растворов германий-кремний, Баку, 1990
16. Аждаров Г.Х., Mamedov G.N., Agaev N.A., Kyazimzade R.Z. "Acceptor levels of Zns in Ge-Si alloys" / Physics of multicomponent semiconductors- Satellite conference of the XXX Annual Meting of the EHPRG, Baku, 1992 1
17. Azhdarov G.X., Kyazimzade R.Z. "Ground - State binding energies of double acceptors in Ge-Si crystals" / Physical Problems in Material Sciences of Semiconductors, Third International School- Conference, Chernivtsi, Ukraine,1999
18. Аждаров Г.Х., Кязимзаде Р.З., Багирова С.М., Алекперов А.И. "Зарядовые состояния и ионизационные потенциалы глубоких акцепторных примесей в системе Ge-Si" / Materials of the First International Conference on Technical and Physical Problems in Power Engineering, Baku, 2002
19. Аждаров Г.Х., "Выращивание однородных монокристаллов полупроводниковых твёрдых растворов методом двойной подпитки расплава" / Тезисы докладов X Национальной конф. по росту кристаллов, Москва, 2002
20. Аждаров Г.Х., "Выращивание монокристаллов твёрдых растворов германий-кремний модернизированным методом Бриджмена" / Тезисы докладов Второй междунар. конф. по физ. крист., Москва, 2003, с. 240
21. Azhdarov G.X., Qubatova Z.A., Kazimova V.K., Mustafaeva K.M. "Mathematical modeling of the compositional variation in Si-Ge grown by vertical Bridgmen method using Ge seed and Si source crystals" / Second Intern. Conf. On Techn. and Phys. Problems in Power Engin. Tabriz 2004, pp. 385-387
22. Аждаров Г.Х., Кязымзаде Р.З. "Выращивание однородных монокристаллов твёрдых растворов Ge-Si модернизированным методом Бриджмена с использованием германиевой затравки" / Тезисы докладов XI Национальной конф. по росту кристаллов, Москва, 2004, с. 109
23. Аждаров Г.Х., Кязимова В.К., Зейналов З.М. "Распределение примеси In в варизонных монокристаллах Ge-Si, выращенных модернизированным методом Бриджмена в статическом режиме" / Труды 5 Межд. Н.-Т. Конф. МЭПП, Баку-Сумгаит – 2005, с. 128-130
24. Аждаров Г.Х., Захрабекова З.М., Зейналов З.М. "О выращивании варизонных монокристаллов методом Бриджмена в режиме непрерывной подпитки расплава кремнием" / Труды 5 Межд. Н.-Т. Конф. МЭПП, Баку-Сумгаит – 2005, c. 123-125
25. Аждаров Г.Х., Кязимова В.К., Зейналов З.М., Захрабекова З.М. "Распределение примесей Al и In в объемных кристаллах твердых растворов Si-Ge при выращивании из расплава" / III Межд. Конф. по физике кристаллов, Кристаллофизика XXI века, 21-24 ноября, 2006, c. 341-342
26. Azhdarov G.X., Zeynalov Z.M., Bagirova S.M. "Distribution of Boron-Impurity in Ge-Si Bulk Single Crystals Grown from the Melt" / TPE-06 3rd Intern. Conference on Techn.and Phys. Probl. in Power Engineering, may 29-31,2006, Ankara, Turkey
27. Аждаров Г.Х., Зейналов З.М., Гусейнли Л.А. "Закономерности распределения примесей Ga и Sb в кристаллахGe-Si с однородным и переменным составами, выращенных из расплава" / Пятая меж.научно-тех. конф. Актуальные проблемы физики,т.2, 2008, с. ХХVIII, с. 37-39
28. Аждаров Г.Х., Агамалиев З.А., Захрабекова З.М., Кязимова В.К. "Условия роста однородных кристаллов твёрдых растворов Ge-Si методом двойной подпитки расплава" / IV Меж. Конф. по физике кристаллов «КРИСТАЛЛОФИЗИКА XXI века», посв. памяти М.П. Шаскольской , 17-22 октября, 2010
29. Аждаров Г.Х.,Зейналов З.М., Гусейнли Л.А., Агамалиев З.А. "Глубокий акцепторный комплекс в сложнолегированных кристаллах Ge1-XSiX <Cu,Ga>" / IV Меж. Конф. по физике кристаллов «КРИСТАЛЛОФИЗИКА XXI века», посв. памяти М.П.Шаскольской , 17-22 октября, 2010, с. 270-271
30. Azhdarov G.X., Aghamaliyev Z.A. "The directional constitutional supercooling of the melt method. Growth dynamics of compositionally graded Ge-Si single crystals" / World Congress on Engineering and Technology (CET 2011). Oct. 28 - Nov. 2, 2011 in Shanghai, China
31. Azhdarov G.X., Kazimova V.K., Zakhrabekova Z.M., Aghamaliyev Z.A., Bagirova S. M. "Axial Distribution of Shallow Acceptor Impurities in Compositionally Graded Ge-Si Alloys Grown from the Melt" / 8th International Conference on Technical and Physical Problems of Power Engineering (ICTPE-2012), September 5-7, Fredrikstad, Norway
32. Аждаров Г.Х., Захрабекова З.М.Кязимова В.К., Агмалиев З.А. "Влияние термической обработки на электрические свойства сложнолегированных кристаллов Ge-Si<Cu,Al, Sb>, Ge-Si<Cu,In,Sb>" / IX Международная Конференция 2012, Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012
33. Аждаров Г.Х., Агамалиев З.А., Исламзаде Э.М., Кязимова В.К. "Гибридный метод выращивания однородных монокристаллов твердых растворов из расплава. Система германий-кремний" / International Conference “Novel Semiconductor Materials and structures”, 2013, 4-8 july, Baku. Fizika, v.XIX, № 2
34. Аждаров Г.Х., Агамалиев З.А., Исламзаде Э.М. "Гибридный метод выращивания однородных монокристаллов бинарных твёрдых растворов из расплава" / V Международная научная конференция «Кристаллофизика XXI века», 2013, 28 октября–2 ноября, Москва
35. Аждаров Г.Х., Исламзаде Э.М., Агамалиев З.А., Захрабекова З.М. "Акцепторный комплекс в термообработанном кристалле Ge<Ni,Ga>" / V Международная научная конференция «Кристаллофизика XXI века», 2013, 28 октября–2 ноября, Москва
36. Аждаров Г.Х., Агамалиев З.А., Исламзаде Э.М., Аждаров Г.Х., Захрабекова З.М. Электроактивный комплекс в сложнолегированных кристаллах Ge- Si<Ga, Ni>" / Шестая международная конференция. Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материаловпосвященная 90-летию со дня рождения профессора Ю.А. Скакова, 26 – 28 мая 2015 г., Москва, ст. 27
37. Аждаров Г.Х., Казимова В.К., Алекперов А.И., Аждаров Г.Х., Захрабекова З.М. "Распределение примесей алюминия и индия вдоль однородных кристаллов Ge-Si, выращенных модернизированным методом Чохральского" / Шестая международная конференция. Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материаловпосвященная 90-летию со дня рождения профессора Ю.А. Скакова, 26 – 28 мая 2015 г., Москва, ст. 130
38. Аждаров Г.Х., Агамалиев З.А., Исламзаде Э.М. "Распределение примеси Ga в твёрдых растворах Ge-Si, выращенных методом двойной подпитки расплава. рост полностью однородных монокристаллов" / Шестая международная конференция. Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов посвященная 90-летию со дня рождения профессора Ю.А. Скакова, 26 – 28 мая 2015 г., Москва, ст. 28
39. Аждаров Г.Х., Агамалиев З.А., Рамазанов М.А., Исламзаде Э.М. "Условия роста однородно легированных монокристаллов полупроводниковых твердых растворов методом двойной подпитки расплава" / BDU-nun Fizika Problemləri İns-nun yaradılmasının 10 illiyinə həsr olunmuş “Opto, nanoelektronika, kondensə olunmuş mühit və yüksək enerjilər fizikası” Beynəlxalq Konfransının materialları, 25-26 dekabr, Bakı-2015